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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FZT549TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PNP 30V 1A SOT223-3 下载数据手册未分类	+1：￥1.554431 +10：￥1.512419 +30：￥1.48091 +100：￥1.459904	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 750mV 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 500mA，2V 功率 - 最大值： 2 W 频率 - 跃迁： 100MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FZT549TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PNP 30V 1A SOT223-3 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥2.317565 +50：￥1.782743 +1000：￥1.47713 +20000：￥1.464396 +30000：￥1.464396	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 750mV 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 500mA，2V 功率 - 最大值： 2 W 频率 - 跃迁： 100MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FZT549TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PNP 30V 1A SOT223-3 下载数据手册双极性晶体管	+30：￥3.459456 +50：￥2.66112	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 750mV 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 500mA，2V 功率 - 最大值： 2 W 频率 - 跃迁： 100MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FZT549TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PNP 30V 1A SOT223-3 下载数据手册双极性晶体管	+1000：￥1.880457 +2000：￥1.704163 +5000：￥1.663139	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 750mV 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 500mA，2V 功率 - 最大值： 2 W 频率 - 跃迁： 100MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FZT549TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PNP 30V 1A SOT223-3 下载数据手册双极性晶体管	+1000：￥3.249422 +2000：￥2.944789 +5000：￥2.873899	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 750mV 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 500mA，2V 功率 - 最大值： 2 W 频率 - 跃迁： 100MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FZT549TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PNP 30V 1A SOT223-3 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥7.66373 +10：￥6.705764 +100：￥5.138081 +500：￥4.061778	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FZT549TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PNP 30V 1A SOT223-3 下载数据手册未分类	+1：￥7.134708 +10：￥6.310255 +100：￥4.994296 +500：￥4.534503 +1000：￥3.916162	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 750mV 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 500mA，2V 功率 - 最大值： 2 W 频率 - 跃迁： 100MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FZT549TA ON(安森美) 授权代理品牌	雙極結晶體管 - BJT 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FZT549TA Diodes Zetex 授权代理品牌	Trans GP BJT PNP 30V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R 下载数据手册未分类	+1：￥3.11866	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	FZT549TA Diodes Zetex 授权代理品牌	Trans GP BJT PNP 30V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R 下载数据手册未分类	+1000：￥2.741314 +2000：￥2.585935 +5000：￥2.48605 +10000：￥2.375066 +25000：￥2.35287	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FZT549TA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	1 A
电压 - 集射极击穿（最大值）:	30 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	750mV 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）:	100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	100 500mA，2V
功率 - 最大值:	2 W
频率 - 跃迁:	100MHz
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装:	SOT-223-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）