品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 750mV 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 500mA，2V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装： SOT-223-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 750mV 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 500mA，2V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装： SOT-223-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 750mV 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 500mA，2V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装： SOT-223-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 750mV 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 500mA，2V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装： SOT-223-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 750mV 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 500mA，2V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装： SOT-223-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 750mV 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 500mA，2V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装： SOT-223-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： TO-261-4, TO-261AA

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： PNP

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 750mV @ 200mA, 2A

Current - Collector Cutoff (Max)： 100nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 100 @ 500mA, 2V

Frequency - Transition： 100MHz

Supplier Device Package： SOT-223-3

Current - Collector (Ic) (Max)： 1 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 30 V

Power - Max： 2 W

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： TO-261-4, TO-261AA

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： PNP

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 750mV @ 200mA, 2A

Current - Collector Cutoff (Max)： 100nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 100 @ 500mA, 2V

Frequency - Transition： 100MHz

Supplier Device Package： SOT-223-3

Current - Collector (Ic) (Max)： 1 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 30 V

Power - Max： 2 W

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： TO-261-4, TO-261AA

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： PNP

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 750mV @ 200mA, 2A

Current - Collector Cutoff (Max)： 100nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 100 @ 500mA, 2V

Frequency - Transition： 100MHz

Supplier Device Package： SOT-223-3

Current - Collector (Ic) (Max)： 1 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 30 V

Power - Max： 2 W