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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FZT755TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PNP 150V 1A SOT223-3 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥6.544512 +10：￥5.562864 +30：￥4.581216 +100：￥3.763152 +500：￥3.272256	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 150 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 200mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 50 500mA，5V 功率 - 最大值： 2 W 频率 - 跃迁： 30MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FZT755TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PNP 150V 1A SOT223-3 下载数据手册未分类	+1：￥4.447399 +10：￥3.715272 +30：￥3.343745 +100：￥2.983145 +500：￥2.764599	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 150 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 200mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 50 500mA，5V 功率 - 最大值： 2 W 频率 - 跃迁： 30MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FZT755TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PNP 150V 1A SOT223-3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 150 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 200mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 50 500mA，5V 功率 - 最大值： 2 W 频率 - 跃迁： 30MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FZT755TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PNP 150V 1A SOT223-3 下载数据手册双极性晶体管	+1000：￥2.636415 +2000：￥2.389247 +5000：￥2.33171	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 150 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 200mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 50 500mA，5V 功率 - 最大值： 2 W 频率 - 跃迁： 30MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FZT755TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PNP 150V 1A SOT223-3 下载数据手册双极性晶体管	+1000：￥4.555716 +2000：￥4.128611 +5000：￥4.029187	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 150 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 200mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 50 500mA，5V 功率 - 最大值： 2 W 频率 - 跃迁： 30MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FZT755TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PNP 150V 1A SOT223-3 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥10.695881 +10：￥9.395359 +100：￥7.203919 +500：￥5.694584	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FZT755TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PNP 150V 1A SOT223-3 下载数据手册未分类	+1：￥12.121547 +10：￥10.661452 +100：￥8.168269 +500：￥6.460233 +1000：￥5.151657	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 150 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 200mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 50 500mA，5V 功率 - 最大值： 2 W 频率 - 跃迁： 30MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

FZT755TA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	1 A
电压 - 集射极击穿（最大值）:	150 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	500mV 200mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）:	100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	50 500mA，5V
功率 - 最大值:	2 W
频率 - 跃迁:	30MHz
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装:	SOT-223-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）