品牌： Diodes Incorporated

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 600mV 100mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 250mA，10V

功率 - 最大值： 500 mW

频率 - 跃迁： 150MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 600mV 100mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 250mA，10V

功率 - 最大值： 500 mW

频率 - 跃迁： 150MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 600mV 100mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 250mA，10V

功率 - 最大值： 500 mW

频率 - 跃迁： 150MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 600mV 100mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 250mA，10V

功率 - 最大值： 500 mW

频率 - 跃迁： 150MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 600mV 100mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 250mA，10V

功率 - 最大值： 500 mW

频率 - 跃迁： 150MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 600mV 100mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 250mA，10V

功率 - 最大值： 500 mW

频率 - 跃迁： 150MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 600mV 100mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 250mA，10V

功率 - 最大值： 500 mW

频率 - 跃迁： 150MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： NPN

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 600mV @ 100mA, 1A

Current - Collector Cutoff (Max)： 100nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 100 @ 250mA, 10V

Frequency - Transition： 150MHz

Supplier Device Package： SOT-23-3

Part Status： Active

Current - Collector (Ic) (Max)： 1 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 100 V

Power - Max： 500 mW

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： NPN

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 600mV @ 100mA, 1A

Current - Collector Cutoff (Max)： 100nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 100 @ 250mA, 10V

Frequency - Transition： 150MHz

Supplier Device Package： SOT-23-3

Part Status： Active

Current - Collector (Ic) (Max)： 1 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 100 V

Power - Max： 500 mW

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： NPN

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 600mV @ 100mA, 1A

Current - Collector Cutoff (Max)： 100nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 100 @ 250mA, 10V

Frequency - Transition： 150MHz

Supplier Device Package： SOT-23-3

Part Status： Active

Current - Collector (Ic) (Max)： 1 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 100 V

Power - Max： 500 mW