品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 40 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 100mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 300 100mA，5V

功率 - 最大值： 500 mW

频率 - 跃迁： 150MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 40 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 100mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 300 100mA，5V

功率 - 最大值： 500 mW

频率 - 跃迁： 150MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 40 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 100mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 300 100mA，5V

功率 - 最大值： 500 mW

频率 - 跃迁： 150MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 40 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 100mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 300 100mA，5V

功率 - 最大值： 500 mW

频率 - 跃迁： 150MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 40 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 100mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 300 100mA，5V

功率 - 最大值： 500 mW

频率 - 跃迁： 150MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 40 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 100mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 300 100mA，5V

功率 - 最大值： 500 mW

频率 - 跃迁： 150MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 40 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 100mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 300 100mA，5V

功率 - 最大值： 500 mW

频率 - 跃迁： 150MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）