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搜索 F3L25R12W1T4B27BOMA16 条相关记录
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F3L25R12W1T4B27BOMA1_晶体管IGBT
F3L25R12W1T4B27BOMA1
授权代理品牌

MODULE IGBT 1200V EASY1B-2

晶体管IGBT

+1:

¥760.5576

+30:

¥422.532

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 托盘

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: -

配置: 半桥

电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 45 A

功率 - 最大值: 215 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.25V 15V,25A

电流 - 集电极截止(最大值): 1 mA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 1.45 nF 25 V

输入: 标准

NTC 热敏电阻:

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 底座安装

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: AG-EASY1B

温度: -40°C # 150°C(TJ)

自营 现货库存
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F3L25R12W1T4B27BOMA1_晶体管IGBT
F3L25R12W1T4B27BOMA1
授权代理品牌

MODULE IGBT 1200V EASY1B-2

晶体管IGBT

+1:

¥459.535413

+30:

¥440.89349

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 托盘

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: -

配置: 半桥

电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 45 A

功率 - 最大值: 215 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.25V 15V,25A

电流 - 集电极截止(最大值): 1 mA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 1.45 nF 25 V

输入: 标准

NTC 热敏电阻:

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 底座安装

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: AG-EASY1B

温度: -40°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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F3L25R12W1T4B27BOMA1_晶体管IGBT
授权代理品牌

MODULE IGBT 1200V EASY1B-2

晶体管IGBT

+1:

¥488.071749

+24:

¥439.760437

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 托盘

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: -

配置: 半桥

电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 45 A

功率 - 最大值: 215 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.25V 15V,25A

电流 - 集电极截止(最大值): 1 mA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 1.45 nF 25 V

输入: 标准

NTC 热敏电阻:

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 底座安装

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: AG-EASY1B

温度: -40°C # 150°C(TJ)

F3L25R12W1T4B27BOMA1_未分类
F3L25R12W1T4B27BOMA1
授权代理品牌

MODULE IGBT 1200V EASY1B-2

未分类

+1:

¥535.995206

+24:

¥477.657188

+48:

¥449.210031

+96:

¥419.262004

+240:

¥404.288639

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Tray

Package / Case: Module

Mounting Type: Chassis Mount

Input: Standard

Configuration: Half Bridge

Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 25A

NTC Thermistor: Yes

Supplier Device Package: AG-EASY1B

IGBT Type: -

Part Status: Active

Current - Collector (Ic) (Max): 45 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V

Power - Max: 215 W

Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA

Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.45 nF @ 25 V

Mouser
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F3L25R12W1T4B27BOMA1
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MODULE IGBT 1200V EASY1B-2

未分类

+1:

¥637.47337

+10:

¥594.403075

+120:

¥515.853419

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 托盘

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: -

配置: 半桥

电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 45 A

功率 - 最大值: 215 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.25V 15V,25A

电流 - 集电极截止(最大值): 1 mA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 1.45 nF 25 V

输入: 标准

NTC 热敏电阻:

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 底座安装

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: AG-EASY1B

温度: -40°C # 150°C(TJ)

艾睿
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F3L25R12W1T4B27BOMA1_未分类
F3L25R12W1T4B27BOMA1
授权代理品牌

Easy PACK IGBT module

未分类

+24:

¥402.982817

+25:

¥388.580183

+100:

¥362.975498

库存: 0

货期:7~10 天

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F3L25R12W1T4B27BOMA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 托盘
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
IGBT 类型: -
配置: 半桥
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 45 A
功率 - 最大值: 215 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.25V 15V,25A
电流 - 集电极截止(最大值): 1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 1.45 nF 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
工作温度: -40°C # 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: AG-EASY1B
温度: -40°C # 150°C(TJ)