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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FZ2000R33HE4BOSA1_晶体管IGBT
FZ2000R33HE4BOSA1
授权代理品牌

IGBT MOD IHV IHM T XHP 3 3-6 5K

晶体管IGBT

+1:

¥44792.944984

+200:

¥17334.278074

+500:

¥16725.093698

+1000:

¥16424.080192

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 托盘

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

配置: 单开关

电压 - 集射极击穿(最大值): 3300 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2000 A

功率 - 最大值: 4.2 mW

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.2V 15V,2kA(标准)

电流 - 集电极截止(最大值): 5 mA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 280 nF 25 V

输入: 标准

NTC 热敏电阻:

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 底座安装

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: AG-IHVB190-3

温度: -40°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FZ2000R33HE4BOSA1_晶体管IGBT
授权代理品牌

IGBT MOD IHV IHM T XHP 3 3-6 5K

晶体管IGBT

+1:

¥34700.065102

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 托盘

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

配置: 单开关

电压 - 集射极击穿(最大值): 3300 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2000 A

功率 - 最大值: 4.2 mW

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.2V 15V,2kA(标准)

电流 - 集电极截止(最大值): 5 mA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 280 nF 25 V

输入: 标准

NTC 热敏电阻:

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 底座安装

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: AG-IHVB190-3

温度: -40°C # 150°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FZ2000R33HE4BOSA1_未分类
FZ2000R33HE4BOSA1
授权代理品牌

IGBT MOD IHV IHM T XHP 3 3-6 5K

未分类

+1:

¥41129.84393

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 托盘

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

配置: 单开关

电压 - 集射极击穿(最大值): 3300 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2000 A

功率 - 最大值: 4.2 mW

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.2V 15V,2kA(标准)

电流 - 集电极截止(最大值): 5 mA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 280 nF 25 V

输入: 标准

NTC 热敏电阻:

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 底座安装

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: AG-IHVB190-3

温度: -40°C # 150°C(TJ)

FZ2000R33HE4BOSA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 托盘
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 单开关
电压 - 集射极击穿(最大值): 3300 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2000 A
功率 - 最大值: 4.2 mW
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.2V 15V,2kA(标准)
电流 - 集电极截止(最大值): 5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 280 nF 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
工作温度: -40°C # 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: AG-IHVB190-3
温度: -40°C # 150°C(TJ)