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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FS50R07N2E4B11BOSA1_晶体管IGBT
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¥710.360635

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 托盘,托盘

封装/外壳: *

系列: EconoPACK™ 2

零件状态: 停产

IGBT 类型: 沟槽型场截止

配置: 三相反相器

电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 70 A

功率 - 最大值: 190 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.95V 15V,50A

电流 - 集电极截止(最大值): 1 mA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 3.1 nF 25 V

输入: 标准

NTC 热敏电阻:

工作温度: -40°C # 150°C

安装类型: 底座安装

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: 模块

温度: -40°C # 150°C

FS50R07N2E4B11BOSA1_晶体管IGBT
授权代理品牌

IGBT MODULE 650V 70A 190W

晶体管IGBT

库存: 0

货期:7~10 天

系列: EconoPACK™ 2

工作温度: -40°C # 150°C

安装类型: Chassis Mount

封装/外壳: Module

供应商器件封装: Module

FS50R07N2E4B11BOSA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 托盘,托盘
封装/外壳: *
系列: EconoPACK™ 2
零件状态: 停产
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 70 A
功率 - 最大值: 190 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.95V 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值): 1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 3.1 nF 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
工作温度: -40°C # 150°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
温度: -40°C # 150°C