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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FF225R12ME4BOSA1_晶体管IGBT
FF225R12ME4BOSA1
授权代理品牌

IGBT MOD 1200V 320A 1050W

晶体管IGBT

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 散装

封装/外壳: *

系列: EconoDUAL™ 3

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

配置: 2 个独立式

电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 320 A

功率 - 最大值: 1050 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.15V 15V,225A

电流 - 集电极截止(最大值): 3 mA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 13 nF 25 V

输入: 标准

NTC 热敏电阻:

工作温度: -40°C # 150°C

安装类型: 底座安装

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: 模块

温度: -40°C # 150°C

Digi-Key
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FF225R12ME4BOSA1_晶体管IGBT
授权代理品牌

IGBT MOD 1200V 320A 1050W

晶体管IGBT

+1:

¥2291.647233

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 散装

封装/外壳: *

系列: EconoDUAL™ 3

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

配置: 2 个独立式

电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 320 A

功率 - 最大值: 1050 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.15V 15V,225A

电流 - 集电极截止(最大值): 3 mA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 13 nF 25 V

输入: 标准

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工作温度: -40°C # 150°C

安装类型: 底座安装

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: 模块

温度: -40°C # 150°C

Mouser
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FF225R12ME4BOSA1_晶体管IGBT
FF225R12ME4BOSA1
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IGBT MOD 1200V 320A 1050W

晶体管IGBT

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货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 散装

封装/外壳: *

系列: EconoDUAL™ 3

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

配置: 2 个独立式

电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 320 A

功率 - 最大值: 1050 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.15V 15V,225A

电流 - 集电极截止(最大值): 3 mA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 13 nF 25 V

输入: 标准

NTC 热敏电阻:

工作温度: -40°C # 150°C

安装类型: 底座安装

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: 模块

温度: -40°C # 150°C

艾睿
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FF225R12ME4BOSA1_未分类
FF225R12ME4BOSA1
授权代理品牌

Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1050W 11-Pin ECONOD-3 Tray

未分类

+1:

¥1857.19807

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FF225R12ME4BOSA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 散装
封装/外壳: *
系列: EconoDUAL™ 3
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 320 A
功率 - 最大值: 1050 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.15V 15V,225A
电流 - 集电极截止(最大值): 3 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 13 nF 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
工作温度: -40°C # 150°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
温度: -40°C # 150°C