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Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FP10R12W1T7B3BOMA1_晶体管IGBT
授权代理品牌

IGBT MODULE LOW POWER EASY

晶体管IGBT

+1:

¥503.372824

+10:

¥464.270402

+25:

¥443.404445

+100:

¥391.236715

+250:

¥365.154269

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 托盘

封装/外壳: *

系列: TrenchStop™

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

配置: 三相反相器

电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 10 A

功率 - 最大值: 20 mW

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.6V 15V,10A(标准)

电流 - 集电极截止(最大值): 4.5 µA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 1.89 nF 25 V

输入: 三相桥式整流器

NTC 热敏电阻:

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 底座安装

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: AG-EASY1B-2

温度: -40°C # 175°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FP10R12W1T7B3BOMA1_未分类
FP10R12W1T7B3BOMA1
授权代理品牌

IGBT MODULE LOW POWER EASY

未分类

+1:

¥514.884609

+10:

¥512.506066

+24:

¥483.683722

+120:

¥462.276834

+264:

¥453.742062

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 托盘

封装/外壳: *

系列: TrenchStop™

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

配置: 三相反相器

电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 10 A

功率 - 最大值: 20 mW

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.6V 15V,10A(标准)

电流 - 集电极截止(最大值): 4.5 µA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 1.89 nF 25 V

输入: 三相桥式整流器

NTC 热敏电阻:

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 底座安装

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: AG-EASY1B-2

温度: -40°C # 175°C(TJ)

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FP10R12W1T7B3BOMA1_未分类
FP10R12W1T7B3BOMA1
授权代理品牌

Trans IGBT Module N-CH 1200V 10A 20-Pin Tray

未分类

+1:

¥306.118819

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FP10R12W1T7B3BOMA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 托盘
封装/外壳: *
系列: TrenchStop™
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 10 A
功率 - 最大值: 20 mW
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.6V 15V,10A(标准)
电流 - 集电极截止(最大值): 4.5 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 1.89 nF 25 V
输入: 三相桥式整流器
NTC 热敏电阻:
工作温度: -40°C # 175°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: AG-EASY1B-2
温度: -40°C # 175°C(TJ)