FF600R12ME4EB11BOSA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FF600R12ME4EB11BOSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT MOD 1200V 995A 4050W 下载数据手册未分类	+6：￥1464.313807	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：托盘封装/外壳： * 系列：零件状态： Digi-Key 停止提供 IGBT 类型：沟槽型场截止配置：半桥电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 995 A 功率 - 最大值： 4050 W 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.1V 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）： 3 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies)： 37 nF 25 V 输入：标准 NTC 热敏电阻：是工作温度： -40°C # 150°C 安装类型：底座安装封装/外壳：模块供应商器件封装：模块温度： -40°C # 150°C
	FF600R12ME4EB11BOSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT MOD 1200V 995A 4050W 下载数据手册未分类	+2：￥3497.771978 +3：￥3392.821347	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：托盘封装/外壳： * 系列：零件状态： Digi-Key 停止提供 IGBT 类型：沟槽型场截止配置：半桥电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 995 A 功率 - 最大值： 4050 W 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.1V 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）： 3 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies)： 37 nF 25 V 输入：标准 NTC 热敏电阻：是工作温度： -40°C # 150°C 安装类型：底座安装封装/外壳：模块供应商器件封装：模块温度： -40°C # 150°C

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FF600R12ME4EB11BOSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT MOD 1200V 995A 4050W 下载数据手册晶体管IGBT	+1：￥3006.782345	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：托盘封装/外壳： * 系列：零件状态： Digi-Key 停止提供 IGBT 类型：沟槽型场截止配置：半桥电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 995 A 功率 - 最大值： 4050 W 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.1V 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）： 3 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies)： 37 nF 25 V 输入：标准 NTC 热敏电阻：是工作温度： -40°C # 150°C 安装类型：底座安装封装/外壳：模块供应商器件封装：模块温度： -40°C # 150°C

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FF600R12ME4EB11BOSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT MOD 1200V 995A 4050W 下载数据手册未分类	+1：￥3859.473046 +6：￥3849.279927	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：托盘封装/外壳： * 系列：零件状态： Digi-Key 停止提供 IGBT 类型：沟槽型场截止配置：半桥电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 995 A 功率 - 最大值： 4050 W 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.1V 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）： 3 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies)： 37 nF 25 V 输入：标准 NTC 热敏电阻：是工作温度： -40°C # 150°C 安装类型：底座安装封装/外壳：模块供应商器件封装：模块温度： -40°C # 150°C

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FF600R12ME4EB11BOSA1 授权代理品牌	Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 13-Pin Tray 下载数据手册未分类	+1：￥2689.371079	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FF600R12ME4EB11BOSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	托盘
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	Digi-Key 停止提供
IGBT 类型:	沟槽型场截止
配置:	半桥
电压 - 集射极击穿（最大值）:	1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	995 A
功率 - 最大值:	4050 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:	2.1V 15V，600A
电流 - 集电极截止（最大值）:	3 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies):	37 nF 25 V
输入:	标准
NTC 热敏电阻:	是
工作温度:	-40°C # 150°C
安装类型:	底座安装
封装/外壳:	模块
供应商器件封装:	模块
温度:	-40°C # 150°C