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Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FS50R12KE3BOSA1_晶体管IGBT
授权代理品牌

IGBT MOD 1200V 75A 270W

晶体管IGBT

+1:

¥979.091316

+10:

¥930.112038

+25:

¥905.64217

+100:

¥795.495631

+250:

¥783.257238

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Digi-Key 停止提供

IGBT 类型: NPT

配置: 三相反相器

电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 75 A

功率 - 最大值: 270 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.15V 15V,50A

电流 - 集电极截止(最大值): 5 mA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 3.5 nF 25 V

输入: 标准

NTC 热敏电阻:

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 底座安装

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: 模块

温度: 150°C(TJ)

FS50R12KE3BOSA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 散装
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Digi-Key 停止提供
IGBT 类型: NPT
配置: 三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 75 A
功率 - 最大值: 270 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.15V 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值): 5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 3.5 nF 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
温度: 150°C(TJ)