品牌： Infineon Technologies

包装： 散装

封装/外壳： *

系列： C

零件状态： 在售

IGBT 类型： 沟槽型场截止

配置： 半桥

电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 150 A

功率 - 最大值： 790 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.15V 15V，150A

电流 - 集电极截止（最大值）： 1 mA

不同 Vce 时输入电容 (Cies)： -

输入： 标准

NTC 热敏电阻： 无

工作温度： -40°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 模块

供应商器件封装： 模块

温度： -40°C # 150°C（TJ）

Packaging： Tray

Package / Case： Module

Mounting Type： Chassis Mount

Input： Standard

Configuration： Half Bridge

Operating Temperature： -40°C ~ 150°C (TJ)

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic： 2.15V @ 15V, 150A

NTC Thermistor： No

Supplier Device Package： Module

IGBT Type： Trench Field Stop

Current - Collector (Ic) (Max)： 150 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 1200 V

Power - Max： 790 W

Current - Collector Cutoff (Max)： 1 mA