FF600R12KE4BOSA1厂家价格_数据手册

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	FF600R12KE4BOSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT MODULE 1200V 600A 下载数据手册未分类	+10：￥1682.16804	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：托盘封装/外壳： * 系列： C 零件状态：在售 IGBT 类型：沟槽型场截止配置：半桥电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 600 A 功率 - 最大值： - 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.2V 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）： 5 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies)： 38 nF 25 V 输入：标准 NTC 热敏电阻：无工作温度： -40°C # 150°C 安装类型：底座安装封装/外壳：模块供应商器件封装：模块温度： -40°C # 150°C
	FF600R12KE4BOSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT MODULE 1200V 600A 下载数据手册晶体管IGBT	+1：￥2813.418067	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：托盘封装/外壳： * 系列： C 零件状态：在售 IGBT 类型：沟槽型场截止配置：半桥电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 600 A 功率 - 最大值： - 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.2V 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）： 5 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies)： 38 nF 25 V 输入：标准 NTC 热敏电阻：无工作温度： -40°C # 150°C 安装类型：底座安装封装/外壳：模块供应商器件封装：模块温度： -40°C # 150°C

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FF600R12KE4BOSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT MODULE 1200V 600A 下载数据手册晶体管IGBT	+1：￥4257.746112	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：托盘封装/外壳： * 系列： C 零件状态：在售 IGBT 类型：沟槽型场截止配置：半桥电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 600 A 功率 - 最大值： - 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.2V 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）： 5 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies)： 38 nF 25 V 输入：标准 NTC 热敏电阻：无工作温度： -40°C # 150°C 安装类型：底座安装封装/外壳：模块供应商器件封装：模块温度： -40°C # 150°C
	FF600R12KE4BOSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT MODULE 1200V 600A 下载数据手册未分类	+1：￥2616.372616 +10：￥2386.403529	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tray Package / Case： Module Mounting Type： Chassis Mount Input： Standard Configuration： Half Bridge Operating Temperature： -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic： 2.2V @ 15V, 600A NTC Thermistor： No Supplier Device Package： Module IGBT Type： Trench Field Stop Part Status： Active Current - Collector (Ic) (Max)： 600 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 1200 V Current - Collector Cutoff (Max)： 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce： 38 nF @ 25 V

Mouser

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	FF600R12KE4BOSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT MODULE 1200V 600A 下载数据手册未分类	+1：￥2631.539333 +10：￥2586.599692	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：托盘封装/外壳： * 系列： C 零件状态：在售 IGBT 类型：沟槽型场截止配置：半桥电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 600 A 功率 - 最大值： - 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.2V 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）： 5 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies)： 38 nF 25 V 输入：标准 NTC 热敏电阻：无工作温度： -40°C # 150°C 安装类型：底座安装封装/外壳：模块供应商器件封装：模块温度： -40°C # 150°C

艾睿

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	FF600R12KE4BOSA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray 下载数据手册未分类	+10：￥2317.792479	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	FF600R12KE4BOSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	晶体管, IGBT 模块, N沟道, 1.2KV, 600A 下载数据手册未分类	+1：￥1585.434791 +5：￥1518.819883 +10：￥1452.204976	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FF600R12KE4BOSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥1929.879774	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FF600R12KE4BOSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT MODULE, N-CH, 1.2KV, 600A 下载数据手册未分类	+1：￥1788.628857 +5：￥1713.482396 +10：￥1638.323159	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	FF600R12KE4BOSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Infineon 1200 V 600 A IGBT, 双, N通道下载数据手册未分类	+1：￥1864.351643 +3：￥1808.420467 +5：￥1754.167479	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FF600R12KE4BOSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	托盘
封装/外壳:	*
系列:	C
零件状态:	在售
IGBT 类型:	沟槽型场截止
配置:	半桥
电压 - 集射极击穿（最大值）:	1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	600 A
功率 - 最大值:	-
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:	2.2V 15V，600A
电流 - 集电极截止（最大值）:	5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies):	38 nF 25 V
输入:	标准
NTC 热敏电阻:	无
工作温度:	-40°C # 150°C
安装类型:	底座安装
封装/外壳:	模块
供应商器件封装:	模块
温度:	-40°C # 150°C