FS150R12KT4BOSA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FS150R12KT4BOSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT MOD 1200V 150A 750W 下载数据手册未分类	+8：￥1243.435208	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：沟槽型场截止配置：三相反相器电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 150 A 功率 - 最大值： 750 W 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.1V 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）： 1 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies)： - 输入：标准 NTC 热敏电阻：是工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装封装/外壳：模块供应商器件封装：模块温度： -40°C # 150°C（TJ）
	FS150R12KT4BOSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT MOD 1200V 150A 750W 下载数据手册未分类	+1：￥2389.253392	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：沟槽型场截止配置：三相反相器电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 150 A 功率 - 最大值： 750 W 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.1V 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）： 1 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies)： - 输入：标准 NTC 热敏电阻：是工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装封装/外壳：模块供应商器件封装：模块温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FS150R12KT4BOSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT MOD 1200V 150A 750W 下载数据手册晶体管IGBT	+1：￥3028.392856	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：沟槽型场截止配置：三相反相器电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 150 A 功率 - 最大值： 750 W 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.1V 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）： 1 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies)： - 输入：标准 NTC 热敏电阻：是工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装封装/外壳：模块供应商器件封装：模块温度： -40°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FS150R12KT4BOSA1 授权代理品牌	Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 750mW 35-Pin ECONO3-4 Tray 下载数据手册未分类	+10：￥3179.384452 +25：￥3087.764688 +50：￥2988.999094 +100：￥2967.178787 +250：￥2945.230877	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FS150R12KT4BOSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
IGBT 类型:	沟槽型场截止
配置:	三相反相器
电压 - 集射极击穿（最大值）:	1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	150 A
功率 - 最大值:	750 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:	2.1V 15V，150A
电流 - 集电极截止（最大值）:	1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies):	-
输入:	标准
NTC 热敏电阻:	是
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	底座安装
封装/外壳:	模块
供应商器件封装:	模块
温度:	-40°C # 150°C（TJ）