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Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FZ750R65KE3C1NOSA1_晶体管IGBT
授权代理品牌

IHV IHM T XHP 3 3-6 5K

晶体管IGBT

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¥2294795.301236

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 托盘

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

配置: 单开关

电压 - 集射极击穿(最大值): 6500 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 750 A

功率 - 最大值: 3000000 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 3.4V 15V,750A

电流 - 集电极截止(最大值): 5 mA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 205 nF 25 V

输入: 标准

NTC 热敏电阻:

工作温度: -50°C # 125°C(TJ)

安装类型: 底座安装

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: A-IHV190-6

温度: -50°C # 125°C(TJ)

艾睿
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FZ750R65KE3C1NOSA1_未分类
FZ750R65KE3C1NOSA1
授权代理品牌
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¥3327646.537

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¥3294370.156758

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库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FZ750R65KE3C1NOSA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 托盘
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 单开关
电压 - 集射极击穿(最大值): 6500 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 750 A
功率 - 最大值: 3000000 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 3.4V 15V,750A
电流 - 集电极截止(最大值): 5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 205 nF 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
工作温度: -50°C # 125°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: A-IHV190-6
温度: -50°C # 125°C(TJ)