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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FZ1400R33HE4BPSA1_晶体管IGBT
FZ1400R33HE4BPSA1
授权代理品牌

IGBT MODULE DIODE HVB130-3

晶体管IGBT

+1:

¥26649.313407

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 托盘

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

配置: 2 个独立式

电压 - 集射极击穿(最大值): 3300 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1400 A

功率 - 最大值: -

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.3V 15V,1400A(标准)

电流 - 集电极截止(最大值): 5 mA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 187 nF 25 V

输入: 单相桥式整流器

NTC 热敏电阻:

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 底座安装

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: 模块

温度: -40°C # 150°C(TJ)

FZ1400R33HE4BPSA1_晶体管IGBT
FZ1400R33HE4BPSA1
授权代理品牌

IGBT MODULE DIODE HVB130-3

晶体管IGBT

+1:

¥16952.769971

+25:

¥16805.354531

+50:

¥16215.693

+100:

¥16068.277676

+300:

¥15994.569955

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 托盘

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

配置: 2 个独立式

电压 - 集射极击穿(最大值): 3300 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1400 A

功率 - 最大值: -

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.3V 15V,1400A(标准)

电流 - 集电极截止(最大值): 5 mA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 187 nF 25 V

输入: 单相桥式整流器

NTC 热敏电阻:

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 底座安装

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: 模块

温度: -40°C # 150°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FZ1400R33HE4BPSA1_晶体管IGBT
FZ1400R33HE4BPSA1
授权代理品牌

IGBT MODULE DIODE HVB130-3

晶体管IGBT

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 托盘

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

配置: 2 个独立式

电压 - 集射极击穿(最大值): 3300 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1400 A

功率 - 最大值: -

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.3V 15V,1400A(标准)

电流 - 集电极截止(最大值): 5 mA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 187 nF 25 V

输入: 单相桥式整流器

NTC 热敏电阻:

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 底座安装

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: 模块

温度: -40°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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FZ1400R33HE4BPSA1_晶体管IGBT
授权代理品牌

IGBT MODULE DIODE HVB130-3

晶体管IGBT

+2:

¥26851.782286

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 托盘

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

配置: 2 个独立式

电压 - 集射极击穿(最大值): 3300 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1400 A

功率 - 最大值: -

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.3V 15V,1400A(标准)

电流 - 集电极截止(最大值): 5 mA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 187 nF 25 V

输入: 单相桥式整流器

NTC 热敏电阻:

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 底座安装

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: 模块

温度: -40°C # 150°C(TJ)

FZ1400R33HE4BPSA1_未分类
FZ1400R33HE4BPSA1
授权代理品牌

IGBT MODULE DIODE HVB130-3

未分类

+1:

¥31028.6922

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: Module

Mounting Type: Chassis Mount

Input: Single Phase Bridge Rectifier

Configuration: 2 Independent

Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 1400A (Typ)

NTC Thermistor: No

Supplier Device Package: Module

IGBT Type: Trench Field Stop

Part Status: Active

Current - Collector (Ic) (Max): 1400 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V

Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA

Input Capacitance (Cies) @ Vce: 187 nF @ 25 V

Mouser
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FZ1400R33HE4BPSA1_晶体管
FZ1400R33HE4BPSA1
授权代理品牌

IGBT MODULE DIODE HVB130-3

晶体管

+1:

¥30217.182286

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 托盘

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

配置: 2 个独立式

电压 - 集射极击穿(最大值): 3300 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1400 A

功率 - 最大值: -

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.3V 15V,1400A(标准)

电流 - 集电极截止(最大值): 5 mA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 187 nF 25 V

输入: 单相桥式整流器

NTC 热敏电阻:

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 底座安装

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: 模块

温度: -40°C # 150°C(TJ)

艾睿
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FZ1400R33HE4BPSA1_未分类
FZ1400R33HE4BPSA1
授权代理品牌
+2:

¥32729.70625

+5:

¥32402.351919

+10:

¥32078.402693

+25:

¥31757.549017

+50:

¥31439.945667

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FZ1400R33HE4BPSA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 托盘
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值): 3300 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1400 A
功率 - 最大值: -
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.3V 15V,1400A(标准)
电流 - 集电极截止(最大值): 5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 187 nF 25 V
输入: 单相桥式整流器
NTC 热敏电阻:
工作温度: -40°C # 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
温度: -40°C # 150°C(TJ)