锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 FD1000R33HE3KBPSA15 条相关记录
自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FD1000R33HE3KBPSA1_晶体管IGBT
授权代理品牌

IGBT MODULE 3300V 1000A

晶体管IGBT

+1:

¥11274.950115

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

配置: 双制动斩波器

电压 - 集射极击穿(最大值): 3300 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1000 A

功率 - 最大值: 11500 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 3.1V 15V,1000A

电流 - 集电极截止(最大值): 5 mA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 190 nF 25 V

输入: 标准

NTC 热敏电阻:

工作温度: -40°C # 150°C

安装类型: 底座安装

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: 模块

温度: -40°C # 150°C

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FD1000R33HE3KBPSA1_晶体管IGBT
授权代理品牌

IGBT MODULE 3300V 1000A

晶体管IGBT

+1:

¥27581.515509

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

配置: 双制动斩波器

电压 - 集射极击穿(最大值): 3300 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1000 A

功率 - 最大值: 11500 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 3.1V 15V,1000A

电流 - 集电极截止(最大值): 5 mA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 190 nF 25 V

输入: 标准

NTC 热敏电阻:

工作温度: -40°C # 150°C

安装类型: 底座安装

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: 模块

温度: -40°C # 150°C

FD1000R33HE3KBPSA1_未分类
FD1000R33HE3KBPSA1
授权代理品牌

IGBT MODULE 3300V 1000A

未分类

+1:

¥23950.582225

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Tray

Package / Case: Module

Mounting Type: Chassis Mount

Input: Standard

Configuration: Dual Brake Chopper

Operating Temperature: -40°C ~ 150°C

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 1000A

NTC Thermistor: No

Supplier Device Package: Module

IGBT Type: Trench Field Stop

Part Status: Active

Current - Collector (Ic) (Max): 1000 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V

Power - Max: 11500 W

Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA

Input Capacitance (Cies) @ Vce: 190 nF @ 25 V

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FD1000R33HE3KBPSA1_晶体管IGBT
FD1000R33HE3KBPSA1
授权代理品牌

IGBT MODULE 3300V 1000A

晶体管IGBT

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

配置: 双制动斩波器

电压 - 集射极击穿(最大值): 3300 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1000 A

功率 - 最大值: 11500 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 3.1V 15V,1000A

电流 - 集电极截止(最大值): 5 mA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 190 nF 25 V

输入: 标准

NTC 热敏电阻:

工作温度: -40°C # 150°C

安装类型: 底座安装

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: 模块

温度: -40°C # 150°C

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FD1000R33HE3KBPSA1_未分类
FD1000R33HE3KBPSA1
授权代理品牌

Trench and Field Stop IGBT Module

未分类

+1:

¥30426.459487

+10:

¥30122.156091

+25:

¥29821.039846

+50:

¥29522.833605

+100:

¥29227.537368

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FD1000R33HE3KBPSA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 散装
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 双制动斩波器
电压 - 集射极击穿(最大值): 3300 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1000 A
功率 - 最大值: 11500 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 3.1V 15V,1000A
电流 - 集电极截止(最大值): 5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 190 nF 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
工作温度: -40°C # 150°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
温度: -40°C # 150°C