FZ1200R33HE3BPSA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FZ1200R33HE3BPSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT MODULE 3300V 1200A 下载数据手册晶体管IGBT	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：托盘封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：沟槽型场截止配置：全桥电压 - 集射极击穿（最大值）： 3300 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1200 A 功率 - 最大值： 13000 W 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 3.2V 15V，1200A 电流 - 集电极截止（最大值）： 5 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies)： 210 nF 25 V 输入：标准 NTC 热敏电阻：无工作温度： -40°C # 150°C 安装类型：底座安装封装/外壳：模块供应商器件封装：模块温度： -40°C # 150°C

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FZ1200R33HE3BPSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT MODULE 3300V 1200A 下载数据手册晶体管IGBT	+1：￥24563.187968	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：托盘封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：沟槽型场截止配置：全桥电压 - 集射极击穿（最大值）： 3300 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1200 A 功率 - 最大值： 13000 W 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 3.2V 15V，1200A 电流 - 集电极截止（最大值）： 5 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies)： 210 nF 25 V 输入：标准 NTC 热敏电阻：无工作温度： -40°C # 150°C 安装类型：底座安装封装/外壳：模块供应商器件封装：模块温度： -40°C # 150°C
	FZ1200R33HE3BPSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT MODULE 3300V 1200A 下载数据手册未分类	+1：￥24214.949707	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tray Package / Case： Module Mounting Type： Chassis Mount Input： Standard Configuration： Full Bridge Operating Temperature： -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic： 3.2V @ 15V, 1200A NTC Thermistor： No Supplier Device Package： Module IGBT Type： Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max)： 1200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 3300 V Power - Max： 13000 W Current - Collector Cutoff (Max)： 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce： 210 nF @ 25 V

Mouser

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	FZ1200R33HE3BPSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT MODULE 3300V 1200A 下载数据手册晶体管IGBT	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：托盘封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：沟槽型场截止配置：全桥电压 - 集射极击穿（最大值）： 3300 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1200 A 功率 - 最大值： 13000 W 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 3.2V 15V，1200A 电流 - 集电极截止（最大值）： 5 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies)： 210 nF 25 V 输入：标准 NTC 热敏电阻：无工作温度： -40°C # 150°C 安装类型：底座安装封装/外壳：模块供应商器件封装：模块温度： -40°C # 150°C

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FZ1200R33HE3BPSA1 授权代理品牌	Trans IGBT Module N-CH 3300V 1.2KA 11mW Automotive Tray 下载数据手册未分类	+1：￥27711.176457 +5：￥27454.134937 +10：￥27196.509895 +25：￥26938.738974 +50：￥26680.53041	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FZ1200R33HE3BPSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	托盘
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
IGBT 类型:	沟槽型场截止
配置:	全桥
电压 - 集射极击穿（最大值）:	3300 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	1200 A
功率 - 最大值:	13000 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:	3.2V 15V，1200A
电流 - 集电极截止（最大值）:	5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies):	210 nF 25 V
输入:	标准
NTC 热敏电阻:	无
工作温度:	-40°C # 150°C
安装类型:	底座安装
封装/外壳:	模块
供应商器件封装:	模块
温度:	-40°C # 150°C