品牌： Infineon Technologies

包装： 托盘

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

IGBT 类型： 沟槽型场截止

配置： 半桥

电压 - 集射极击穿（最大值）： 1700 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1200 A

功率 - 最大值： 7800 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.25V 15V，1200A

电流 - 集电极截止（最大值）： 5 mA

不同 Vce 时输入电容 (Cies)： 97 nF 25 V

输入： 标准

NTC 热敏电阻： 无

工作温度： -40°C # 150°C

安装类型： 底座安装

封装/外壳： 模块

供应商器件封装： 模块

温度： -40°C # 150°C