搜索 FF1000R17IE4DPB2BOSA1 共 3 条相关记录
Digi-Key
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| 授权代理品牌 | +3： ￥14360.595341 | ||||
FF1000R17IE4DPB2BOSA1 授权代理品牌 | +1： ￥10941.059906 | Packaging： Bulk Part Status： Active |
艾睿
FF1000R17IE4DPB2BOSA1参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | 散装 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| IGBT 类型: | 沟槽型场截止 |
| 配置: | 2 个独立式 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 1700 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 1000 A |
| 功率 - 最大值: | - |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 2.45V 15V，1000A |
| 电流 - 集电极截止（最大值）: | 5 mA |
| 不同 Vce 时输入电容 (Cies): | 81 nF 25 V |
| 输入: | 标准 |
| NTC 热敏电阻: | 是 |
| 工作温度: | -40°C # 150°C |
| 安装类型: | 底座安装 |
| 封装/外壳: | 模块 |
| 供应商器件封装: | 模块 |
| 温度: | -40°C # 150°C |