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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FF1000R17IE4PBOSA1_晶体管IGBT
授权代理品牌

IGBT MODULE 1700V 1000A

晶体管IGBT

+3:

¥9672.843199

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

配置: 2 个独立式

电压 - 集射极击穿(最大值): 1700 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1000 A

功率 - 最大值: 1000000 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.45V 15V,1000A

电流 - 集电极截止(最大值): 5 mA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 81 nF 25 V

输入: 标准

NTC 热敏电阻:

工作温度: -40°C # 150°C

安装类型: 底座安装

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: 模块

温度: -40°C # 150°C

FF1000R17IE4PBOSA1_未分类
FF1000R17IE4PBOSA1
授权代理品牌

IGBT MODULE 1700V 1000A

未分类

+1:

¥9719.805274

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Tray

Package / Case: Module

Mounting Type: Chassis Mount

Input: Standard

Configuration: 2 Independent

Operating Temperature: -40°C ~ 150°C

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A

NTC Thermistor: Yes

Supplier Device Package: Module

IGBT Type: Trench Field Stop

Part Status: Active

Current - Collector (Ic) (Max): 1000 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V

Power - Max: 1000000 W

Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA

Input Capacitance (Cies) @ Vce: 81 nF @ 25 V

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FF1000R17IE4PBOSA1_未分类
FF1000R17IE4PBOSA1
授权代理品牌

Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diode

未分类

+3:

¥12126.020493

+5:

¥12004.776728

+10:

¥11884.62895

+25:

¥11765.85116

+50:

¥11648.16936

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FF1000R17IE4PBOSA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 散装
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值): 1700 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1000 A
功率 - 最大值: 1000000 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.45V 15V,1000A
电流 - 集电极截止(最大值): 5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 81 nF 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
工作温度: -40°C # 150°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
温度: -40°C # 150°C