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FZ1200R12HP4HOSA2_晶体管IGBT
授权代理品牌

IGBT MOD 1200V 1790A 7150W

晶体管IGBT

+2:

¥8350.13767

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 托盘

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟道

配置: 单开关

电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1790 A

功率 - 最大值: 7150 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.05V 15V,1200A

电流 - 集电极截止(最大值): 5 mA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 74 nF 25 V

输入: 标准

NTC 热敏电阻:

工作温度: -40°C # 150°C

安装类型: 底座安装

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: 模块

温度: -40°C # 150°C

FZ1200R12HP4HOSA2_未分类
FZ1200R12HP4HOSA2
授权代理品牌

IGBT MOD 1200V 1790A 7150W

未分类

+1:

¥8900.603642

+10:

¥8566.017711

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Tray

Package / Case: Module

Mounting Type: Chassis Mount

Input: Standard

Configuration: Single Switch

Operating Temperature: -40°C ~ 150°C

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 1200A

NTC Thermistor: No

Supplier Device Package: Module

IGBT Type: Trench

Current - Collector (Ic) (Max): 1790 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V

Power - Max: 7150 W

Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA

Input Capacitance (Cies) @ Vce: 74 nF @ 25 V

FZ1200R12HP4HOSA2参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 托盘
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟道
配置: 单开关
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1790 A
功率 - 最大值: 7150 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.05V 15V,1200A
电流 - 集电极截止(最大值): 5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 74 nF 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
工作温度: -40°C # 150°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
温度: -40°C # 150°C