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Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FF900R12IE4VPBOSA1_晶体管IGBT
授权代理品牌

IGBT MOD 1200V 900A 20MW

晶体管IGBT

+3:

¥12199.951934

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 托盘

封装/外壳: *

系列: PrimePack™2

零件状态: 不适用于新设计

IGBT 类型: 沟槽型场截止

配置: 半桥

电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 900 A

功率 - 最大值: 20 mW

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,900A

电流 - 集电极截止(最大值): 5 mA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 54 nF 25 V

输入: 标准

NTC 热敏电阻:

工作温度: -40°C # 150°C

安装类型: 底座安装

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: 模块

温度: -40°C # 150°C

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FF900R12IE4VPBOSA1_未分类
FF900R12IE4VPBOSA1
授权代理品牌

IGBT MOD 1200V 900A 20MW

未分类

+3:

¥10568.519568

+6:

¥10568.379305

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 托盘

封装/外壳: *

系列: PrimePack™2

零件状态: 不适用于新设计

IGBT 类型: 沟槽型场截止

配置: 半桥

电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 900 A

功率 - 最大值: 20 mW

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,900A

电流 - 集电极截止(最大值): 5 mA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 54 nF 25 V

输入: 标准

NTC 热敏电阻:

工作温度: -40°C # 150°C

安装类型: 底座安装

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: 模块

温度: -40°C # 150°C

FF900R12IE4VPBOSA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 托盘
封装/外壳: *
系列: PrimePack™2
零件状态: 不适用于新设计
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 半桥
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 900 A
功率 - 最大值: 20 mW
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,900A
电流 - 集电极截止(最大值): 5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 54 nF 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
工作温度: -40°C # 150°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
温度: -40°C # 150°C