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FF45MR12W1M1B11BOMA1参数规格
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 托盘 |
封装/外壳: | * |
系列: | CoolSiC™+ |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 N-通道(双) |
FET 功能: | 碳化硅(SiC) |
漏源电压(Vdss): | 1200V(1.2kV) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 25A(Tj) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 45 毫欧 25A,15V(标准) |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 5.55V 10mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 62nC 15V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1840pF 800V |
功率 - 最大值: | 20mW(Tc) |
工作温度: | -40°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 底座安装 |
封装/外壳: | 模块 |
供应商器件封装: | AG-EASY1BM-2 |
温度: | -40°C # 150°C(TJ) |