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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FF45MR12W1M1B11BOMA1_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET MODULE 1200V 50A

射频晶体管

+1:

¥649.309044

+10:

¥609.992177

+25:

¥590.311502

+100:

¥531.278128

+250:

¥511.60116

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 托盘

封装/外壳: *

系列: CoolSiC™+

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 碳化硅(SiC)

漏源电压(Vdss): 1200V(1.2kV)

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25A(Tj)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 45 毫欧 25A,15V(标准)

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5.55V 10mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 62nC 15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1840pF 800V

功率 - 最大值: 20mW(Tc)

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 底座安装

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: AG-EASY1BM-2

温度: -40°C # 150°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FF45MR12W1M1B11BOMA1_null
授权代理品牌

MOSFET MODULE 1200V 50A

+1:

¥986.808943

+10:

¥927.063859

+24:

¥884.28522

+120:

¥866.883741

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 托盘

封装/外壳: *

系列: CoolSiC™+

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 碳化硅(SiC)

漏源电压(Vdss): 1200V(1.2kV)

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25A(Tj)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 45 毫欧 25A,15V(标准)

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5.55V 10mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 62nC 15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1840pF 800V

功率 - 最大值: 20mW(Tc)

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 底座安装

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: AG-EASY1BM-2

温度: -40°C # 150°C(TJ)

FF45MR12W1M1B11BOMA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 托盘
封装/外壳: *
系列: CoolSiC™+
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 碳化硅(SiC)
漏源电压(Vdss): 1200V(1.2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25A(Tj)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 45 毫欧 25A,15V(标准)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5.55V 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 62nC 15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1840pF 800V
功率 - 最大值: 20mW(Tc)
工作温度: -40°C # 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: AG-EASY1BM-2
温度: -40°C # 150°C(TJ)