F4200R17N3E4BPSA1厂家价格_数据手册

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Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	F4200R17N3E4BPSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT MOD 1700V 200A 20MW 下载数据手册晶体管IGBT	+10：￥2891.793989	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：托盘封装/外壳： * 系列： EconoPACK™ 3 零件状态：在售 IGBT 类型：沟槽型场截止配置：全桥电压 - 集射极击穿（最大值）： 1700 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 200 A 功率 - 最大值： 20 mW 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.3V 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）： 1 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies)： 18 nF 25 V 输入：标准 NTC 热敏电阻：是工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装封装/外壳：模块供应商器件封装：模块温度： -40°C # 150°C（TJ）
	F4200R17N3E4BPSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT MOD 1700V 200A 20MW 下载数据手册未分类	+1：￥3769.941239 +10：￥3610.715883 +30：￥3531.063451	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tray Package / Case： Module Mounting Type： Chassis Mount Input： Standard Configuration： Full Bridge Operating Temperature： -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic： 2.3V @ 15V, 200A NTC Thermistor： Yes Supplier Device Package： Module IGBT Type： Trench Field Stop Part Status： Active Current - Collector (Ic) (Max)： 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 1700 V Power - Max： 20 mW Current - Collector Cutoff (Max)： 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce： 18 nF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	F4200R17N3E4BPSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT MOD 1700V 200A 20MW 下载数据手册晶体管	+10：￥3626.548151 +20：￥3490.005445 +50：￥3435.94368	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：托盘封装/外壳： * 系列： EconoPACK™ 3 零件状态：在售 IGBT 类型：沟槽型场截止配置：全桥电压 - 集射极击穿（最大值）： 1700 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 200 A 功率 - 最大值： 20 mW 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.3V 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）： 1 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies)： 18 nF 25 V 输入：标准 NTC 热敏电阻：是工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装封装/外壳：模块供应商器件封装：模块温度： -40°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	F4200R17N3E4BPSA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	EconoPACK3 module with Trench/Field stop IGBT4 and Emitter Controlled diode and NTC 下载数据手册未分类	+10：￥3678.374772 +25：￥3641.561387 +50：￥3605.059979 +100：￥3569.026538 +250：￥3533.305075	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

F4200R17N3E4BPSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	托盘
封装/外壳:	*
系列:	EconoPACK™ 3
零件状态:	在售
IGBT 类型:	沟槽型场截止
配置:	全桥
电压 - 集射极击穿（最大值）:	1700 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	200 A
功率 - 最大值:	20 mW
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:	2.3V 15V，200A
电流 - 集电极截止（最大值）:	1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies):	18 nF 25 V
输入:	标准
NTC 热敏电阻:	是
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	底座安装
封装/外壳:	模块
供应商器件封装:	模块
温度:	-40°C # 150°C（TJ）