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F4100R12KS4BOSA1_晶体管IGBT
F4100R12KS4BOSA1
授权代理品牌

IGBT MOD 1200V 130A 660W

晶体管IGBT

+1:

¥1780.39773

+25:

¥1764.916001

+50:

¥1702.989199

+100:

¥1687.50747

+300:

¥1679.766547

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: -

工作温度: -40°C # 125°C

安装类型: Chassis Mount

封装/外壳: Module

供应商器件封装: Module

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F4100R12KS4BOSA1_晶体管IGBT
F4100R12KS4BOSA1
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IGBT MOD 1200V 130A 660W

晶体管IGBT

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: -

工作温度: -40°C # 125°C

安装类型: Chassis Mount

封装/外壳: Module

供应商器件封装: Module

Digi-Key
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F4100R12KS4BOSA1_晶体管IGBT
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IGBT MOD 1200V 130A 660W

晶体管IGBT

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¥3307.905113

+10:

¥3098.233436

+30:

¥2981.757176

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -40°C # 125°C

安装类型: Chassis Mount

封装/外壳: Module

供应商器件封装: Module

F4100R12KS4BOSA1_未分类
F4100R12KS4BOSA1
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IGBT MOD 1200V 130A 660W

未分类

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¥2811.620851

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: Module

Mounting Type: Chassis Mount

Input: Standard

Configuration: Three Phase Inverter

Operating Temperature: -40°C ~ 125°C

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 100A

NTC Thermistor: Yes

Supplier Device Package: Module

IGBT Type: -

Part Status: Active

Current - Collector (Ic) (Max): 130 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V

Power - Max: 660 W

Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA

Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.8 nF @ 25 V

Mouser
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F4100R12KS4BOSA1_晶体管IGBT
F4100R12KS4BOSA1
授权代理品牌

IGBT MOD 1200V 130A 660W

晶体管IGBT

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -40°C # 125°C

安装类型: Chassis Mount

封装/外壳: Module

供应商器件封装: Module

艾睿
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F4100R12KS4BOSA1_未分类
F4100R12KS4BOSA1
授权代理品牌

Trans IGBT Module N-CH 1200V 130A 660mW 26-Pin ECONO3-4 Tray

未分类

+10:

¥3132.938104

+25:

¥3104.041098

+50:

¥3075.14409

+100:

¥3046.121444

+250:

¥3017.098799

库存: 0

货期:7~10 天

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F4100R12KS4BOSA1_未分类
F4100R12KS4BOSA1
授权代理品牌

Trans IGBT Module N-CH 1200V 130A 660W 26-Pin ECONO3-4 Tray

未分类

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¥1434.177996

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¥1382.753756

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¥1339.215214

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

F4100R12KS4BOSA1参数规格

属性 参数值
系列: -
工作温度: -40°C # 125°C
安装类型: Chassis Mount
封装/外壳: Module
供应商器件封装: Module