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| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| 授权代理品牌 | +10： ￥2244.393918 |
艾睿
FS200R07N3E4RB11BOSA1参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | 散装 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| IGBT 类型: | 沟槽型场截止 |
| 配置: | 三相反相器 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 200 A |
| 功率 - 最大值: | 600 W |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 1.95V 15V，200A |
| 电流 - 集电极截止（最大值）: | 1 mA |
| 不同 Vce 时输入电容 (Cies): | 13 nF 25 V |
| 输入: | 标准 |
| NTC 热敏电阻: | 是 |
| 工作温度: | -40°C # 150°C |
| 安装类型: | 底座安装 |
| 封装/外壳: | 模块 |
| 供应商器件封装: | 模块 |
| 温度: | -40°C # 150°C |