FS200R07N3E4RBOSA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FS200R07N3E4RBOSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT MOD 650V 200A 600W 下载数据手册晶体管IGBT	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：沟槽型场截止配置：三相反相器电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 200 A 功率 - 最大值： 600 W 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.95V 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）： 1 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies)： 13 nF 25 V 输入：标准 NTC 热敏电阻：是工作温度： -40°C # 150°C 安装类型：底座安装封装/外壳：模块供应商器件封装：模块温度： -40°C # 150°C

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FS200R07N3E4RBOSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT MOD 650V 200A 600W 下载数据手册晶体管IGBT	+1：￥3468.610962	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：沟槽型场截止配置：三相反相器电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 200 A 功率 - 最大值： 600 W 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.95V 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）： 1 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies)： 13 nF 25 V 输入：标准 NTC 热敏电阻：是工作温度： -40°C # 150°C 安装类型：底座安装封装/外壳：模块供应商器件封装：模块温度： -40°C # 150°C
	FS200R07N3E4RBOSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT MOD 650V 200A 600W 下载数据手册未分类	+1：￥2250.888218 +10：￥1999.914105	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tray Package / Case： Module Mounting Type： Chassis Mount Input： Standard Configuration： Three Phase Inverter Operating Temperature： -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic： 1.95V @ 15V, 200A NTC Thermistor： Yes Supplier Device Package： Module IGBT Type： Trench Field Stop Part Status： Active Current - Collector (Ic) (Max)： 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 650 V Power - Max： 600 W Current - Collector Cutoff (Max)： 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce： 13 nF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FS200R07N3E4RBOSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT MOD 650V 200A 600W 下载数据手册晶体管IGBT	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：沟槽型场截止配置：三相反相器电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 200 A 功率 - 最大值： 600 W 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.95V 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）： 1 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies)： 13 nF 25 V 输入：标准 NTC 热敏电阻：是工作温度： -40°C # 150°C 安装类型：底座安装封装/外壳：模块供应商器件封装：模块温度： -40°C # 150°C

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FS200R07N3E4RBOSA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trench and Field Stop IGBT Module 下载数据手册未分类	+10：￥1942.457137	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FS200R07N3E4RBOSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥1655.298501 +5：￥1606.89796 +10：￥1568.177526	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FS200R07N3E4RBOSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
IGBT 类型:	沟槽型场截止
配置:	三相反相器
电压 - 集射极击穿（最大值）:	650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	200 A
功率 - 最大值:	600 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:	1.95V 15V，200A
电流 - 集电极截止（最大值）:	1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies):	13 nF 25 V
输入:	标准
NTC 热敏电阻:	是
工作温度:	-40°C # 150°C
安装类型:	底座安装
封装/外壳:	模块
供应商器件封装:	模块
温度:	-40°C # 150°C