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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FF400R12KT3EHOSA1_晶体管IGBT
FF400R12KT3EHOSA1
授权代理品牌

IGBT MOD 1200V 580A 2000W

晶体管IGBT

+1:

¥3740.546576

+200:

¥1447.546384

+500:

¥1396.669015

+1000:

¥1371.536294

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 散装,散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 不适用于新设计

IGBT 类型: -

配置: 2 个独立式

电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 580 A

功率 - 最大值: 2000 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.15V 15V,400A

电流 - 集电极截止(最大值): 5 mA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 28 nF 25 V

输入: 标准

NTC 热敏电阻:

工作温度: -40°C # 125°C

安装类型: 底座安装

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: 模块

温度: -40°C # 125°C

Digi-Key
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FF400R12KT3EHOSA1_晶体管IGBT
授权代理品牌

IGBT MOD 1200V 580A 2000W

晶体管IGBT

+10:

¥3592.124557

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 散装,散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 不适用于新设计

IGBT 类型: -

配置: 2 个独立式

电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 580 A

功率 - 最大值: 2000 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.15V 15V,400A

电流 - 集电极截止(最大值): 5 mA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 28 nF 25 V

输入: 标准

NTC 热敏电阻:

工作温度: -40°C # 125°C

安装类型: 底座安装

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: 模块

温度: -40°C # 125°C

FF400R12KT3EHOSA1_未分类
FF400R12KT3EHOSA1
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IGBT MOD 1200V 580A 2000W

未分类

+2:

¥2965.035483

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: Module

Mounting Type: Chassis Mount

Input: Standard

Configuration: 2 Independent

Operating Temperature: -40°C ~ 125°C

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A

NTC Thermistor: No

Supplier Device Package: Module

IGBT Type: -

Part Status: Not For New Designs

Current - Collector (Ic) (Max): 580 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V

Power - Max: 2000 W

Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA

Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V

Mouser
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FF400R12KT3EHOSA1_晶体管IGBT
FF400R12KT3EHOSA1
授权代理品牌

IGBT MOD 1200V 580A 2000W

晶体管IGBT

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 散装,散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 不适用于新设计

IGBT 类型: -

配置: 2 个独立式

电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 580 A

功率 - 最大值: 2000 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.15V 15V,400A

电流 - 集电极截止(最大值): 5 mA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 28 nF 25 V

输入: 标准

NTC 热敏电阻:

工作温度: -40°C # 125°C

安装类型: 底座安装

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: 模块

温度: -40°C # 125°C

艾睿
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FF400R12KT3EHOSA1_未分类
FF400R12KT3EHOSA1
授权代理品牌

62mm C-Series Module

未分类

+10:

¥3707.210637

+25:

¥3670.141287

+50:

¥3633.48535

+100:

¥3597.105021

+250:

¥3561.138104

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FF400R12KT3EHOSA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 散装,散装
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 不适用于新设计
IGBT 类型: -
配置: 2 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 580 A
功率 - 最大值: 2000 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.15V 15V,400A
电流 - 集电极截止(最大值): 5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 28 nF 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
工作温度: -40°C # 125°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
温度: -40°C # 125°C