品牌： Infineon Technologies

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

IGBT 类型： 沟槽型场截止

配置： 2 个独立式

电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 580 A

功率 - 最大值： 2000 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.15V 15V，400A

电流 - 集电极截止（最大值）： 5 mA

不同 Vce 时输入电容 (Cies)： 28 nF 25 V

输入： 标准

NTC 热敏电阻： 无

工作温度： -40°C # 125°C

安装类型： 底座安装

封装/外壳： 模块

供应商器件封装： 模块

温度： -40°C # 125°C

品牌： Infineon Technologies

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

IGBT 类型： 沟槽型场截止

配置： 2 个独立式

电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 580 A

功率 - 最大值： 2000 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.15V 15V，400A

电流 - 集电极截止（最大值）： 5 mA

不同 Vce 时输入电容 (Cies)： 28 nF 25 V

输入： 标准

NTC 热敏电阻： 无

工作温度： -40°C # 125°C

安装类型： 底座安装

封装/外壳： 模块

供应商器件封装： 模块

温度： -40°C # 125°C

Packaging： Tray

Package / Case： Module

Mounting Type： Chassis Mount

Input： Standard

Configuration： 2 Independent

Operating Temperature： -40°C ~ 125°C

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic： 2.15V @ 15V, 400A

NTC Thermistor： No

Supplier Device Package： Module

IGBT Type： Trench Field Stop

Current - Collector (Ic) (Max)： 580 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 1200 V

Power - Max： 2000 W

Current - Collector Cutoff (Max)： 5 mA

Input Capacitance (Cies) @ Vce： 28 nF @ 25 V