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FST63100M参数规格
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | GeneSiC Semiconductor |
包装: | 散装 |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 停产 |
二极管配置: | 1 对共阴极 |
二极管类型: | 肖特基 |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): | 100 V |
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): | 30A |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): | 840 mV 30 A |
速度: | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
反向恢复时间 (trr): | - |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | 1 mA 100 V |
工作温度 - 结: | -55°C # 150°C |
安装类型: | 底座安装 |
封装/外壳: | D61-3M |
供应商器件封装: | D61-3M |
温度: |