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FDA20N50
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¥60.886748

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¥24.302248

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¥23.482703

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¥23.089322

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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FDA20N50_未分类
FDA20N50
授权代理品牌

FDA20N50 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

未分类

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

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FDA20N50_null
FDA20N50
授权代理品牌

MOSFET N-CH 500V 22A TO3PN

+94:

¥18.600463

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Fairchild Semiconductor

包装: Tube

封装/外壳: *

系列: UniFET™

零件状态: Obsolete

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 22A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): -

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 230mOhm 11A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 59.5 nC 10 V

Vgs(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3120 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): -

工作温度: -

安装类型: Through Hole

供应商器件封装: TO-3PN

封装/外壳: TO-3P-3, SC-65-3

温度: -

Digi-Key
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FDA20N50_晶体管-FET,MOSFET-单个
+94:

¥45.50166

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Fairchild Semiconductor

包装: Tube

封装/外壳: *

系列: UniFET™

零件状态: Obsolete

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 22A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): -

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 230mOhm 11A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 59.5 nC 10 V

Vgs(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3120 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): -

工作温度: -

安装类型: Through Hole

供应商器件封装: TO-3PN

封装/外壳: TO-3P-3, SC-65-3

温度: -

Mouser
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FDA20N50_未分类
FDA20N50
授权代理品牌

MOSFET 500V NCH MOSFET

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Tube

標準包裝數量: 30

FDA20N50参数规格

属性 参数值
品牌: Fairchild Semiconductor
包装: Tube
封装/外壳: *
系列: UniFET™
零件状态: Obsolete
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss): 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 22A (Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 230mOhm 11A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 59.5 nC 10 V
Vgs(最大值): -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3120 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): -
工作温度: -
安装类型: Through Hole
供应商器件封装: TO-3PN
封装/外壳: TO-3P-3, SC-65-3
温度: -