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Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FP35R12KT4B16BOSA1_晶体管IGBT
授权代理品牌

IGBT MOD 1200V 70A 210W

晶体管IGBT

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 托盘

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Digi-Key 停止提供

IGBT 类型: 沟槽型场截止

配置: 三相反相器

电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 70 A

功率 - 最大值: 210 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.25V 15V,35A

电流 - 集电极截止(最大值): 1 mA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 2 nF 25 V

输入: 三相桥式整流器

NTC 热敏电阻:

工作温度: -40°C # 150°C

安装类型: 底座安装

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: 模块

温度: -40°C # 150°C

FP35R12KT4B16BOSA1_未分类
FP35R12KT4B16BOSA1
授权代理品牌

FP35R12 - IGBT MODULE

未分类

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¥957.534808

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Part Status: Active

FP35R12KT4B16BOSA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 托盘
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Digi-Key 停止提供
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 70 A
功率 - 最大值: 210 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.25V 15V,35A
电流 - 集电极截止(最大值): 1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 2 nF 25 V
输入: 三相桥式整流器
NTC 热敏电阻:
工作温度: -40°C # 150°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
温度: -40°C # 150°C