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FMM60-02TF_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 200V 33A I4-PAC

射频晶体管

+25:

¥250.043174

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 200V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 33A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 40 毫欧 30A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 90nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3700pF 25V

功率 - 最大值: 125W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: i4-Pac™-5

供应商器件封装: ISOPLUS i4-PAC™

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FMM60-02TF参数规格

属性 参数值
品牌: IXYS
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: HiPerFET™
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 200V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 33A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 40 毫欧 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 90nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3700pF 25V
功率 - 最大值: 125W
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: i4-Pac™-5
供应商器件封装: ISOPLUS i4-PAC™
温度: -55°C # 150°C(TJ)