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FMP76-010T_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 100V 62A/54A I4PAC

射频晶体管

+50:

¥157.040118

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: Trench™

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 62A,54A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11 毫欧 25A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 104nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5080pF 25V

功率 - 最大值: 89W,132W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: i4-Pac™-5

供应商器件封装: ISOPLUS i4-PAC™

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FMP76-010T参数规格

属性 参数值
品牌: IXYS
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: Trench™
零件状态: 在售
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 62A,54A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11 毫欧 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 104nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5080pF 25V
功率 - 最大值: 89W,132W
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: i4-Pac™-5
供应商器件封装: ISOPLUS i4-PAC™
温度: -55°C # 150°C(TJ)