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Digi-Key
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FF23MR12W1M1B11BOMA1_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE

射频晶体管

+1:

¥1146.144564

+24:

¥1125.262888

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 托盘

封装/外壳: *

系列: CoolSiC™+

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 碳化硅(SiC)

漏源电压(Vdss): 1200V(1.2kV)

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 23 毫欧 50A,15V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5.55V 20mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 125nC 15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3950pF 800V

功率 - 最大值: 20mW

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 底座安装

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: 模块

温度: -40°C # 150°C(TJ)

Mouser
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FF23MR12W1M1B11BOMA1_null
授权代理品牌

MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE

+1:

¥1287.555736

+10:

¥1187.911616

+24:

¥1104.698175

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 托盘

封装/外壳: *

系列: CoolSiC™+

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 碳化硅(SiC)

漏源电压(Vdss): 1200V(1.2kV)

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 23 毫欧 50A,15V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5.55V 20mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 125nC 15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3950pF 800V

功率 - 最大值: 20mW

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 底座安装

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: 模块

温度: -40°C # 150°C(TJ)

艾睿
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FF23MR12W1M1B11BOMA1_未分类
FF23MR12W1M1B11BOMA1
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 22-Pin EASY1B-2 Tray

未分类

+24:

¥1179.240312

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FF23MR12W1M1B11BOMA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 托盘
封装/外壳: *
系列: CoolSiC™+
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 碳化硅(SiC)
漏源电压(Vdss): 1200V(1.2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 23 毫欧 50A,15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5.55V 20mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 125nC 15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3950pF 800V
功率 - 最大值: 20mW
工作温度: -40°C # 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
温度: -40°C # 150°C(TJ)