品牌： Infineon Technologies

包装： 托盘

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

IGBT 类型： 沟槽型场截止

配置： 三相反相器

电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 83 A

功率 - 最大值： 335 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.15V 15V，50A

电流 - 集电极截止（最大值）： 1 mA

不同 Vce 时输入电容 (Cies)： 2.8 nF 25 V

输入： 标准

NTC 热敏电阻： 是

工作温度： -40°C # 150°C

安装类型： 底座安装

封装/外壳： 模块

供应商器件封装： 模块

温度： -40°C # 150°C