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FK4B01120L1_晶体管-FET,MOSFET-单个
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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Panasonic Electronic Components

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 12 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.9A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 24 毫欧 1.5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 394µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 490 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 370mW(Ta)

工作温度: -40°C # 85°C(TA)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: ULGA004-W-1010-RA01

封装/外壳: 4-XFLGA,CSP

温度: -40°C # 85°C(TA)

FK4B01120L1_晶体管-FET,MOSFET-单个
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库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -40°C # 85°C (TA)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 4-XFLGA, CSP

供应商器件封装: ULGA004-W-1010-RA01

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系列: -

工作温度: -40°C # 85°C (TA)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 4-XFLGA, CSP

供应商器件封装: ULGA004-W-1010-RA01

FK4B01120L1参数规格

属性 参数值
品牌: Panasonic Electronic Components
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.9A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 24 毫欧 1.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 394µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7 nC 4.5 V
Vgs(最大值): ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 490 pF 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 370mW(Ta)
工作温度: -40°C # 85°C(TA)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: ULGA004-W-1010-RA01
封装/外壳: 4-XFLGA,CSP
温度: -40°C # 85°C(TA)