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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FES8DT-E3/45_null
FES8DT-E3/45
Vishay(威世)
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC
+1：

￥4.901358

+200：

￥1.899011

+500：

￥1.835357

+1000：

￥1.80353

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

二极管类型： Standard

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V

电流 - 平均整流 (Io)： 8A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 950 mV 8 A

速度： Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢复时间 (trr)： 35 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 200 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-220-2

供应商器件封装： TO-220AC

工作温度 - 结： -55°C # 150°C

温度：

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FES8DT-E3/45_二极管整流器
FES8DT-E3/45
Vishay(威世)
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC

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二极管整流器
+1：

￥5.44401

+10：

￥4.86486

+25：

￥4.6193

+100：

￥3.465055

+250：

￥3.432043

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

二极管类型： Standard

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V

电流 - 平均整流 (Io)： 8A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 950 mV 8 A

速度： Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢复时间 (trr)： 35 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 200 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-220-2

供应商器件封装： TO-220AC

工作温度 - 结： -55°C # 150°C

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Digi-Key
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FES8DT-E3/45_二极管整流器
FES8DT-E3/45
Vishay(威世)
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DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC

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二极管整流器
+1：

￥13.317491

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￥11.900737

+25：

￥11.300033

+100：

￥8.476441

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￥8.395686

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

二极管类型： Standard

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V

电流 - 平均整流 (Io)： 8A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 950 mV 8 A

速度： Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢复时间 (trr)： 35 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 200 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-220-2

供应商器件封装： TO-220AC

工作温度 - 结： -55°C # 150°C

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Mouser
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FES8DT-E3/45_二极管与整流器
FES8DT-E3/45
Vishay(威世)
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC

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二极管与整流器
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￥

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货期：7~10 天

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

二极管类型： Standard

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V

电流 - 平均整流 (Io)： 8A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 950 mV 8 A

速度： Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢复时间 (trr)： 35 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 200 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-220-2

供应商器件封装： TO-220AC

工作温度 - 结： -55°C # 150°C

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FES8DT-E3/45参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装: Tube
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
二极管类型: Standard
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200 V
电流 - 平均整流 (Io): 8A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 950 mV 8 A
速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢复时间 (trr): 35 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 200 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: Through Hole
封装/外壳: TO-220-2
供应商器件封装: TO-220AC
工作温度 - 结: -55°C # 150°C
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