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	FESB16JT-E3/81 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB 下载数据手册二极管整流器	+1：￥19.291151 +10：￥16.07606 +30：￥12.860848 +100：￥10.717333	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V 电流 - 平均整流 (Io)： 16A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.5 V 16 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 50 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 600 V 不同 Vr、F 时电容： 145pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： TO-263AB（D²PAK）工作温度 - 结： -65°C # 150°C 温度：

自营现货库存

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	FESB16JT-E3/81 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB 下载数据手册	+1：￥12.894179 +10：￥11.779597 +30：￥11.080252 +100：￥10.369979 +500：￥9.550434	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V 电流 - 平均整流 (Io)： 16A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.5 V 16 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 50 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 600 V 不同 Vr、F 时电容： 145pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： TO-263AB（D²PAK）工作温度 - 结： -65°C # 150°C 温度：

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	FESB16JT-E3/81 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB 下载数据手册二极管整流器	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V 电流 - 平均整流 (Io)： 16A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.5 V 16 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 50 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 600 V 不同 Vr、F 时电容： 145pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： TO-263AB（D²PAK）工作温度 - 结： -65°C # 150°C 温度：

Digi-Key

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	FESB16JT-E3/81 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB 下载数据手册二极管整流器	+800：￥13.637466 +1600：￥11.571174 +2400：￥10.992658 +5600：￥10.579372	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V 电流 - 平均整流 (Io)： 16A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.5 V 16 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 50 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 600 V 不同 Vr、F 时电容： 145pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： TO-263AB（D²PAK）工作温度 - 结： -65°C # 150°C 温度：
	FESB16JT-E3/81 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB 下载数据手册二极管整流器	+1：￥24.436337 +10：￥20.245221 +100：￥16.116618	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Cut Tape (CT) Alternate Packaging 系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -65°C # 150°C 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： TO-263AB
	FESB16JT-E3/81 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB 下载数据手册二极管整流器	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Digi-Reel® Alternate Packaging 系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -65°C # 150°C 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： TO-263AB

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FESB16JT-E3/81 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB 下载数据手册未分类	+1：￥27.609465 +10：￥22.737206 +100：￥18.027356 +500：￥14.779183 +800：￥12.554186	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V 电流 - 平均整流 (Io)： 16A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.5 V 16 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 50 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 600 V 不同 Vr、F 时电容： 145pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： TO-263AB（D²PAK）工作温度 - 结： -65°C # 150°C 温度：

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FESB16JT-E3/81 授权代理品牌	Diode Switching 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R 下载数据手册未分类	+800：￥9.932585 +2400：￥9.83315 +4800：￥9.735078 +9600：￥9.637004	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FESB16JT-E3/81 VISHAY(威世) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥10.52017 +10：￥8.332347 +50：￥7.950642 +100：￥7.094131 +200：￥6.824145	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	FESB16JT-E3/81 VISHAY(威世) 授权代理品牌	Days to ship 8 下载数据手册未分类	+1：￥15.631296 +10：￥13.518883 +25：￥13.382958 +100：￥11.215618 +250：￥11.093657	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FESB16JT-E3/81参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	600 V
电流 - 平均整流 (Io):	16A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1.5 V 16 A
速度:	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	50 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	10 µA 600 V
不同 Vr、F 时电容:	145pF 4V，1MHz
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装:	TO-263AB（D²PAK）
工作温度 - 结:	-65°C # 150°C
温度: