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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EPC2012C EPC 授权代理品牌	GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥32.279156 +10：￥28.192357 +30：￥25.766503 +100：￥23.307867 +500：￥22.171431	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： EPC 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： eGaN® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： GaNFET（氮化镓）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 3A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.3 nC 5 V Vgs（最大值）： +6V，-4V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 140 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装：模具剖面（4 焊条）封装/外壳：模具温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EPC2012C EPC 授权代理品牌	GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥7.688705 +5000：￥7.399655	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： EPC 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： eGaN® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： GaNFET（氮化镓）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 3A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.3 nC 5 V Vgs（最大值）： +6V，-4V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 140 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装：模具剖面（4 焊条）封装/外壳：模具温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
EPC2012C EPC 授权代理品牌	GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥18.808609 +5000：￥18.101517	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： EPC 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： eGaN® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： GaNFET（氮化镓）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 3A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.3 nC 5 V Vgs（最大值）： +6V，-4V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 140 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装：模具剖面（4 焊条）封装/外壳：模具温度： -40°C # 150°C（TJ）
EPC2012C EPC 授权代理品牌	GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥41.719757 +10：￥34.647401 +100：￥27.576475 +500：￥23.333918 +1000：￥19.798598	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： eGaN® 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： Die 供应商器件封装： Die Outline (4-Solder Bar)
EPC2012C EPC 授权代理品牌	GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥41.719757 +10：￥34.647401 +100：￥27.576475 +500：￥23.333918 +1000：￥19.798598	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： eGaN® 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： Die 供应商器件封装： Die Outline (4-Solder Bar)

EPC2012C参数规格

属性	参数值
品牌:	EPC
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	eGaN®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	100 毫欧 3A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	1.3 nC 5 V
Vgs（最大值）:	+6V，-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	140 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	-
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	模具剖面（4 焊条）
封装/外壳:	模具
温度:	-40°C # 150°C（TJ）