搜索 EMT18T2R 共 6 条相关记录
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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![]() | EMT18T2R 授权代理品牌 | +1: ¥8.034624 +100: ¥4.555584 +1000: ¥2.332512 +4000: ¥1.581408 +8000: ¥1.195488 |
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EMT18T2R参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Rohm Semiconductor |
包装: | 卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 在售 |
晶体管类型: | 2 PNP(双) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 500mA |
电压 - 集射极击穿(最大值): | 12V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): | 250mV 10mA,200mA |
电流 - 集电极截止(最大值): | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): | 270 10mA,2V |
功率 - 最大值: | 150mW |
频率 - 跃迁: | 260MHz |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | SOT-563,SOT-666 |
供应商器件封装: | EMT6 |
温度: | 150°C(TJ) |