锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 EMX1FHAT2R9 条相关记录
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EMX1FHAT2R_双极晶体管预偏置
EMX1FHAT2R
授权代理品牌

NPN+NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIC

双极晶体管预偏置

+5:

¥1.330032

+50:

¥1.130503

+150:

¥0.930974

+500:

¥0.83127

+2500:

¥0.76472

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 NPN(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V

功率 - 最大值: 150mW

频率 - 跃迁: 180MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: EMT6

温度: 150°C(TJ)

自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EMX1FHAT2R_双极晶体管预偏置
EMX1FHAT2R
授权代理品牌

NPN+NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIC

双极晶体管预偏置

+5:

¥0.81725

+50:

¥0.669077

+150:

¥0.59499

+500:

¥0.517188

+2500:

¥0.472713

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 NPN(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V

功率 - 最大值: 150mW

频率 - 跃迁: 180MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: EMT6

温度: 150°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EMX1FHAT2R_双极晶体管预偏置
授权代理品牌

NPN+NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIC

双极晶体管预偏置

+8000:

¥0.323326

+16000:

¥0.296997

+24000:

¥0.283489

+40000:

¥0.268167

+56000:

¥0.259098

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 NPN(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V

功率 - 最大值: 150mW

频率 - 跃迁: 180MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: EMT6

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EMX1FHAT2R_双极晶体管预偏置
授权代理品牌

NPN+NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIC

双极晶体管预偏置

+8000:

¥0.790941

+16000:

¥0.726533

+24000:

¥0.693488

+40000:

¥0.656007

+56000:

¥0.633822

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 NPN(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V

功率 - 最大值: 150mW

频率 - 跃迁: 180MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: EMT6

温度: 150°C(TJ)

EMX1FHAT2R_双极晶体管预偏置
授权代理品牌

NPN+NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIC

双极晶体管预偏置

+1:

¥3.3657

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

供应商器件封装: EMT6

EMX1FHAT2R_双极晶体管预偏置
授权代理品牌

NPN+NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIC

双极晶体管预偏置

+1:

¥3.3657

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

供应商器件封装: EMT6

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EMX1FHAT2R_晶体管
EMX1FHAT2R
授权代理品牌

NPN+NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIC

晶体管

+1:

¥6.301499

+10:

¥5.920094

+100:

¥5.422608

+1000:

¥3.134167

+2500:

¥2.006531

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 NPN(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V

功率 - 最大值: 150mW

频率 - 跃迁: 180MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: EMT6

温度: 150°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EMX1FHAT2R_未分类
EMX1FHAT2R
授权代理品牌

晶体管, 双路 NPN, AECQ101, 50V, SOT-563

未分类

+5:

¥3.637389

+10:

¥3.417332

+100:

¥2.122889

+500:

¥1.553334

+1000:

¥0.961774

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EMX1FHAT2R_未分类
EMX1FHAT2R
授权代理品牌

TRANS, DUAL NPN, 50V, SOT-563

未分类

+5:

¥3.923504

+10:

¥3.685335

+100:

¥2.281398

+500:

¥1.667176

+1000:

¥1.041676

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

EMX1FHAT2R参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
晶体管类型: 2 NPN(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V
功率 - 最大值: 150mW
频率 - 跃迁: 180MHz
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商器件封装: EMT6
温度: 150°C(TJ)