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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EMX51T2R_null
EMX51T2R
授权代理品牌

NPN+NPN DRIVER TRANSISTOR. TWO 2

+1:

¥2.637216

+100:

¥1.495296

+1000:

¥0.765648

+4000:

¥0.51912

+8000:

¥0.3924

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 NPN(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 200mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 10mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,2V

功率 - 最大值: 150mW

频率 - 跃迁: 400MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: EMT6

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
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EMX51T2R_双极晶体管预偏置
授权代理品牌

NPN+NPN DRIVER TRANSISTOR. TWO 2

双极晶体管预偏置

+8000:

¥0.685759

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 NPN(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 200mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 10mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,2V

功率 - 最大值: 150mW

频率 - 跃迁: 400MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: EMT6

温度: 150°C(TJ)

EMX51T2R_双极晶体管预偏置
授权代理品牌

NPN+NPN DRIVER TRANSISTOR. TWO 2

双极晶体管预偏置

+1:

¥3.953928

+10:

¥2.965446

+25:

¥2.594765

+100:

¥1.408586

+250:

¥1.401173

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

供应商器件封装: EMT6

EMX51T2R_双极晶体管预偏置
授权代理品牌

NPN+NPN DRIVER TRANSISTOR. TWO 2

双极晶体管预偏置

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

供应商器件封装: EMT6

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EMX51T2R_晶体管
EMX51T2R
授权代理品牌

NPN+NPN DRIVER TRANSISTOR. TWO 2

晶体管

+:

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 NPN(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 200mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 10mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,2V

功率 - 最大值: 150mW

频率 - 跃迁: 400MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: EMT6

温度: 150°C(TJ)

EMX51T2R参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 2 NPN(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 200mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 20V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,2V
功率 - 最大值: 150mW
频率 - 跃迁: 400MHz
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商器件封装: EMT6
温度: 150°C(TJ)