品牌: EPC
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: eGaN®
零件状态: Digi-Key 停止提供
FET 类型: N 通道
技术: GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7 毫欧 25A,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 10 nC 5 V
Vgs(最大值): +6V,-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 950 pF 50 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): -
工作温度: -40°C # 125°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 模具剖面(11 焊条)
封装/外壳: 模具
温度: -40°C # 125°C(TJ)