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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EPC2045_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+2500:

¥13.153439

+5000:

¥12.619387

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: EPC

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: eGaN®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: GaNFET(氮化镓)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 16A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7 毫欧 16A,5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 5mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6.5 nC 5 V

Vgs(最大值): +6V,-4V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 685 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): -

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 模具

封装/外壳: 模具

温度: -40°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EPC2045_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+2500:

¥22.729098

+5000:

¥21.806257

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: EPC

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: eGaN®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: GaNFET(氮化镓)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 16A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7 毫欧 16A,5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 5mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6.5 nC 5 V

Vgs(最大值): +6V,-4V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 685 pF 50 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): -

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 模具

封装/外壳: 模具

温度: -40°C # 150°C(TJ)

EPC2045_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥46.727695

+10:

¥39.201422

+100:

¥31.715022

+500:

¥28.191131

+1000:

¥24.138656

库存: 0

货期:7~10 天

系列: eGaN®

工作温度: -40°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: Die

供应商器件封装: Die

EPC2045_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥46.727695

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¥39.201422

+100:

¥31.715022

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¥28.191131

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库存: 0

货期:7~10 天

系列: eGaN®

工作温度: -40°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: Die

供应商器件封装: Die

EPC2045参数规格

属性 参数值
品牌: EPC
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: eGaN®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 16A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7 毫欧 16A,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6.5 nC 5 V
Vgs(最大值): +6V,-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 685 pF 50 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): -
工作温度: -40°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 模具
封装/外壳: 模具
温度: -40°C # 150°C(TJ)