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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EMH1303-TL-E_晶体管-FET,MOSFET-单个
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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 12 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): -

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 23 毫欧 6A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12 nC 4.5 V

Vgs(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1100 pF 6 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): -

工作温度: -

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-EMH

封装/外壳: 8-SMD,扁平引线

温度: -

EMH1303-TL-E参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 23 毫欧 6A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12 nC 4.5 V
Vgs(最大值): -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1100 pF 6 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): -
工作温度: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-EMH
封装/外壳: 8-SMD,扁平引线
温度: -