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| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
 | 授权代理品牌 | +500： ￥69.208156 +1000： ￥60.278178 | |||
 | 授权代理品牌 | +1： ￥106.310717 +10： ￥95.995541 +100： ￥79.477894 | 系列： eGaN® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： Die 供应商器件封装： Die | ||
 | 授权代理品牌 | +1： ￥106.310717 +10： ￥95.995541 +100： ￥79.477894 | 系列： eGaN® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： Die 供应商器件封装： Die |
EPC2102参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | EPC |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | eGaN® |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 个 N 通道（半桥） |
| FET 功能: | GaNFET（氮化镓） |
| 漏源电压（Vdss）: | 60V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 23A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 4.4 毫欧 20A，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V 7mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 6.8nC 5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 830pF 30V |
| 功率 - 最大值: | - |
| 工作温度: | -40°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 模具 |
| 供应商器件封装: | 模具 |
| 温度: | -40°C # 150°C（TJ） |