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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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EM6K33T2R 授权代理品牌 | +: ¥ +: ¥ +: ¥ +: ¥ +: ¥ |
EM6K33T2R参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Rohm Semiconductor |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 N-通道(双) |
FET 功能: | 逻辑电平栅极,1.2V 驱动 |
漏源电压(Vdss): | 50V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 200mA |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 2.2 欧姆 200mA,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1V 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | - |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 25pF 10V |
功率 - 最大值: | 150mW |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | SOT-563,SOT-666 |
供应商器件封装: | EMT6 |
温度: | 150°C(TJ) |