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	EM6K6T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6 下载数据手册射频晶体管	+20：￥1.855872 +100：￥1.57752 +300：￥1.299168 +1000：￥1.067184 +8000：￥0.927936	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 300mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 25pF 10V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： EMT6 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

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	EM6K6T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6 下载数据手册射频晶体管	+5：￥0.577323 +50：￥0.510233 +150：￥0.476689 +500：￥0.451529 +2500：￥0.365645	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 300mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 25pF 10V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： EMT6 温度： 150°C（TJ）

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	EM6K6T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.509894	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 300mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 25pF 10V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： EMT6 温度： 150°C（TJ）

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	EM6K6T2R 授权代理品牌	EM6K6T2R VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.612615 +50：￥0.597335 +100：￥0.581938 +200：￥0.566658 +300：￥0.556471	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	EM6K6T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6 下载数据手册射频晶体管	+8000：￥0.386184 +16000：￥0.379701 +24000：￥0.373334	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 300mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 25pF 10V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： EMT6 温度： 150°C（TJ）
	EM6K6T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.738565 +100：￥0.509355 +500：￥0.462239 +2000：￥0.429132 +4000：￥0.399844	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 300mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 25pF 10V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： EMT6 温度： 150°C（TJ）
	EM6K6T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6 下载数据手册射频晶体管	+2400：￥0.519079 +8000：￥0.372755	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 300mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 25pF 10V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： EMT6 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EM6K6T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6 下载数据手册	+1：￥5.499072 +100：￥3.118032 +1000：￥1.976832 +4000：￥1.340352 +8000：￥0.998496	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 300mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 25pF 10V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： EMT6 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	EM6K6T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6 下载数据手册射频晶体管	+8000：￥0.914265 +16000：￥0.855281 +24000：￥0.784448 +56000：￥0.754991	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 300mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 25pF 10V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： EMT6 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EM6K6T2R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6 下载数据手册射频晶体管	+8000：￥1.579846 +16000：￥1.477924 +24000：￥1.355524 +56000：￥1.304622	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1 欧姆 300mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 25pF 10V 功率 - 最大值： 150mW 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： EMT6 温度： 150°C（TJ）

EM6K6T2R参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	300mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1 欧姆 300mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	25pF 10V
功率 - 最大值:	150mW
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-563，SOT-666
供应商器件封装:	EMT6
温度:	150°C（TJ）